キオクシアホールディングスJP:285A
時価総額
¥4.69兆
PER
フラッシュメモリの製造・販売の最大手。第8世代BiCS FLASHを量産、SSDや組み込みメモリを展開。Sandiskとの製造合弁で生産能力の約80％を共有。連結子会社22社（国内7、海外15）、北上K2棟が2024年7月完成、2025年秋稼働見込、国内外展開。
| 2025年02月 | 4.8Gb／秒のNANDインターフェーススピードを実現する３次元フラッシュメモリ技術を発表 |
| 2024年12月 | 東京証券取引所プライム市場に株式を上場 |
| 2024年07月 | 第８世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷 |
| 2024年07月 | 北上工場第２製造棟の建屋完成 |
| 2024年04月 | メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設 |
| 2024年01月 | 車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷 |
| 2023年08月 | エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷 |
| 2023年08月 | キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立 |
| 2023年06月 | 横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始 |
| 2023年03月 | 218層積層プロセスを適用した第８世代BiCS FLASH™を試作 |
| 2022年11月 | 大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発 |
| 2022年10月 | 四日市工場第７製造棟の竣工 |
| 2022年06月 | キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更 |
| 2022年01月 | ４ビット／セル（QLC）技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷 |
| 2021年09月 | PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷 |
| 2021年04月 | キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併 |
| 2021年02月 | 162層積層プロセスを適用した第６世代BiCS FLASH™を試作 |
| 2020年07月 | キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得 |
| 2020年03月 | キオクシア㈱は、東芝中国社より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化 |
| 2020年03月 | キオクシア㈱は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ㈱に売却 |
| 2020年01月 | 112層積層プロセスを適用した第５世代BiCS FLASH™を試作 |
| 2019年10月 | キオクシア㈱北上工場（岩手県）第１製造棟の竣工 |
| 2019年10月 | ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更 |
| 2019年08月 | 新しいリムーバブルPCIe®／NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発 |
| 2019年08月 | 台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表 |
| 2019年08月 | ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始 |
| 2019年06月 | ㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行 |
| 2019年05月 | 大容量データへの高速アクセスに対応した２テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）の開発 |
| 2019年03月 | 東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱（現キオクシアホールディングス㈱）を設立 |
| 2018年09月 | 四日市工場の第６製造棟とメモリ開発センターの竣工 |
| 2018年08月 | ㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更（現キオクシア㈱） |
| 2018年07月 | サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売 |
| 2018年06月 | ㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.（そのグループを含む）を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡 |
| 2018年04月 | 64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充 |
| 2018年01月 | ㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の３社（以下「製造合弁会社３社」という。）を関連会社化 |
| 2018年01月 | 旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱（現キオクシアエトワール㈱）を設立 |
| 2017年12月 | 岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱（現キオクシア岩手㈱）を設立 |
| 2017年11月 | 東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ㈱より取得し連結子会社化 |
| 2017年10月 | 東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社よりメモリ関連事業を譲受 |
| 2017年10月 | 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル（現キオクシアイスラエル社）、OCZストレージソリューションズ（現キオクシアテクノロジーUK社）を連結子会社化 |
| 2017年10月 | 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社よりメモリ関連事業を譲受 |
| 2017年10月 | 東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受 |
| 2017年10月 | 東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化 |
| 2017年09月 | 中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立 |
| 2017年09月 | 岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表 |
| 2017年09月 | 連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社よりメモリ関連事業を譲受 |
| 2017年08月 | 64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD（「ＰＭ５シリーズ」「ＣＭ５シリーズ」）のサンプル出荷開始 |
| 2017年07月 | 欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立 |
| 2017年07月 | ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立 |
| 2017年07月 | 連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社よりメモリ関連事業を譲受 |
| 2017年07月 | 韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立 |
| 2017年06月 | ４ビット／セル（QLC）技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始 |
| 2017年06月 | 96層積層プロセスを適用した第４世代BiCS FLASH™を試作 |
| 2017年06月 | シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した３ビット／セル（TLC）のBiCS FLASH™の試作品の提供開始 |
| 2017年05月 | 香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立 |
| 2017年05月 | 北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立 |
| 2017年05月 | 64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™SSD（「ＸＧ５シリーズ」）の出荷を開始 |
| 2017年04月 | ㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く）を会社分割により承継 |
| 2017年04月 | ㈱東芝からの株式譲受により、国内会社３社海外会社３社を関係会社化 |
| 2017年02月 | 64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
| 2017年02月 | ㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立 |
| 2017年01月 | メモリ事業分社化の方針決定 |
| 2016年07月 | 64層積層プロセスを用いた第３世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
| 2016年07月 | 四日市工場の新第２製造棟の竣工 |
| 2016年04月 | 社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更 |
| 2015年03月 | 48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
| 2014年04月 | 15 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産 |
| 2011年07月 | 四日市工場第５製造棟の竣工 |
| 2011年07月 | ㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置 |
| 2009年02月 | ４ビット／セル（QLC）をSandiskグループと共同開発 |
| 2007年09月 | 四日市工場第４製造棟の竣工 |
| 2007年06月 | ３次元フラッシュメモリ技術を開発 |
| 2005年02月 | 四日市工場で300 mmクリーンルームである第３製造棟を稼動 |
| 2002年04月 | 四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲を設立 |
| 2001年12月 | 汎用DRAM事業の撤退を決定 |
| 2001年11月 | 多値技術を利用した160ナノメートル（以下「nm」という。）１ギガビットNAND（２ビット／セル(MLC)）を製品化 |
| 2000年05月 | Sandiskグループとフラッシュメモリについて協業を開始 |
| 1992年01月 | 四日市工場（三重県）を設立 |
| 1991年04月 | フラッシュメモリを量産 |
| 1987年04月 | 世界初のNAND型フラッシュメモリを発明 |