SUMCOJP:3436

時価総額
¥4146.1億
PER
-24.5倍
半導体メーカー向けに、ポリッシュトウェーハやエピタキシャルウェーハなどの高純度シリコンウェーハを製造・販売する高純度シリコン事業。
2023年03月三菱マテリアル株式会社が新設した高純度シリコン株式会社に、三菱マテリアル株式会社の半導体用多結晶シリコン事業、並びに三菱マテリアル株式会社が保有するMitsubishi Polycrystalline Silicon America Corporation及び日本アエロジル株式会社の株式を承継させたうえで、高純度シリコン株式会社の株式を取得。
2022年04月東京証券取引所の市場区分の見直しにより市場第一部からプライム市場へ移行。
2016年03月監査等委員会設置会社に移行。
2013年07月当社生野工場閉鎖。
2013年03月SUMCOソーラー株式会社を清算。
2012年11月ジャパンスーパークォーツ株式会社<現 当社JSQ事業部>を吸収合併。
2011年02月当社尼崎工場閉鎖。
2008年08月会社分割の方法により、SUMCO TECHXIV株式会社の営業部門及び技術部門を承継。
2008年05月株式交換の方法により、SUMCO TECHXIV株式会社を完全子会社化。
2007年12月FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONが台湾証券交易所(証券取引所)に正式上場。
2007年01月SUMCO USA Corporationを清算。
2006年10月株式公開買付けにより、株式会社小松製作所から株式会社SUMCOの連結子会社となる。
2006年10月コマツ電子金属株式会社<現 SUMCO TECHXIV株式会社>株式の公開買付けにより同社を子会社化。
2006年10月SUMCO Oregon Corporationを清算。
2005年11月株式会社東京証券取引所市場第一部上場。
2005年08月商号を株式会社SUMCOに変更。
2002年02月住友金属工業株式会社<現 日本製鉄株式会社>よりシリコン事業(シチックス事業本部)の営業を譲り受けるとともに、三菱マテリアルシリコン株式会社と合併、同時に商号を三菱住友シリコン株式会社に変更。
2002年01月米国における持株会社としてSUMCO USA Corporationを設立。
2001年10月300mmウェーハの生産開始。
2001年10月三菱マテリアルシリコン株式会社が三菱マテリアルクォーツ株式会社<現 当社JSQ事業部>を子会社化。
1999年07月住友金属工業株式会社<現 日本製鉄株式会社>、三菱マテリアル株式会社及び三菱マテリアルシリコン株式会社の共同出資により、株式会社シリコン ユナイテッド マニュファクチュアリングとして設立。
1998年10月住友金属工業株式会社<現 日本製鉄株式会社>と住友シチックス株式会社が合併し、住友金属工業株式会社シチックス事業本部が発足。
1997年09月株式会社東京証券取引所市場第二部上場。
1995年11月Formosa Plastics Groupとの共同出資により、製造販売子会社としてFormosa Komatsu Silicon Corporation<現 FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATION>を台湾に設立(コマツ電子金属株式会社出資比率51%)
1993年04月小松電子金属株式会社が商号をコマツ電子金属株式会社に変更。
1993年01月大阪チタニウム製造株式会社が商号を住友シチックス株式会社に変更。
1992年10月大阪チタニウム製造株式会社が九州電子金属株式会社を吸収合併しシリコン事業を統合。
1991年10月日本シリコン株式会社が商号を三菱マテリアルシリコン株式会社に変更。
1979年01月日本シリコン株式会社が日本電子金属株式会社のシリコン事業を営業譲受。
1978年02月東洋シリコン株式会社が商号を日本シリコン株式会社に変更。
1974年02月三菱金属株式会社<現 三菱マテリアル株式会社>がチッソ電子化学株式会社を子会社化、同時にチッソ電子化学株式会社が商号を東洋シリコン株式会社に変更。
1973年08月大阪チタニウム製造株式会社と住友金属工業株式会社<現 日本製鉄株式会社>が共同出資で、シリコンウェーハ製造会社として九州電子金属株式会社を設立。
1964年08月日窒電子化学株式会社が解散し、チッソ電子化学株式会社に資産を譲渡。
1964年03月新日本窒素肥料株式会社<現 チッソ株式会社>がチッソ電子化学株式会社を設立。
1962年01月大阪チタニウム製造株式会社尼崎工場<後の当社尼崎工場>においてシリコンウェーハの生産開始。
1960年04月株式会社小松製作所と株式会社石塚研究所の共同出資により、小松電子金属株式会社を設立。
1959年10月三菱金属鉱業株式会社<現 三菱マテリアル株式会社>等が半導体用高純度シリコンの製造・販売等を目的に日本電子金属株式会社を設立。
日窒電子化学株式会社野田工場が生産開始。
1958年12月新日本窒素肥料株式会社<現 チッソ株式会社>が半導体用高純度シリコンの製造・販売を目的に日窒電子化学株式会社を設立。